Opis marketingowy:Wyjątkowa i innowacyjna architektura pamięci flash Samsung 3D V-NAND stanowi przełom w pokonywaniu ograniczeń gęstości, wydajności oraz wytrzymałości współczesnej, konwencjonalnej płaskiej architektury NAND. Architektura 3D V-NAND wykorzystuje 32 warstwy komórek umieszczonych jedna nad drugą, zamiast ograniczenia wielkości komórek w celu dopasowania ich do ograniczonej poziomej przestrzeni. Dzięki temu uzyskano większą gęstość i lepsze parametry, a także mniejsze wymiary.,Typ:SSD,Typ obudowy:AIC,Interfejs:SATA III,Miejsce montażu:Dedykowane złącze,Pojemność:500 GB,Zastosowanie:Komputer stacjonarny i laptop,Pamięć podręczna:512 MB,Prędkość obrotowa:Nie dotyczy,Maks. prędkość zapisu:520 MB/s,Maks. prędkość odczytu:540 MB/s,Kieszeń hot-swap:Nie,Średni czas bezawaryjnej pracy (MTBF):1500000 h,Przystosowany do pracy ciągłej (24/7):Nie,Funkcje dodatkowe:SMARTTRIM,Pobór mocy (spoczynek):0,05 W,Pobór mocy (praca):3,3 W,Wysokość:51 mm,Waga:8,3 g,Strona www produktu:http://www.samsung.com/pl/consumer/memory-storage/ssd/850-evo/MZ-M5E500BW